5年，被赤崎教授的弟子，天野浩解决，这就是著名的两步法
步骤是，在蓝宝石衬底上先生长一层AlN缓冲层，再将温度升高生长
由于缓冲层释放了GaN和蓝宝石之间的失配应力，这种“两步法”生长技术使得GaN的晶体质量显著改善，满足了器件制作的基本要求
这个方法的发现，差不多历时前后5年，师生两个人接力，才算搞定
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按理说，一般的科学研究工作者，进行某项研究的思路，都是踏着前人留下的足迹前进尤其是没有达到终点之前
因为改变前人，甚至推翻前人的工作，完全是得不偿失
例如两步法的发现，就用时差不多四五年时间换个人来研究，是不是也要准备个几年时间？
这怎么选择，不是一目了然嘛！
但大侠就是大侠，中村拿到这个论文后，不是继续往下研究，而是放飞自我
他决定试试在缓冲层中采用GaN而非AlN的方法
具体思路是在低温生长的非结晶状态的GaN膜之上，在高温条件下生长出GaN单晶膜只要这个取得成功，就可以制出与在底板上直接生长单晶GaN膜相同的构造
按照这个思路，中村进行了尝试
结果嘛，一次成功！
这种方法的核心，是采用了低温GaN缓冲层(500℃左右)替代了AlN缓冲层这一基于低温GaN缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长GaN基LED的标准工艺
当然了，做出这步改良的理由，也是异常奇怪中村给出的解释居然是，别人用过的方法，我不用！
这种“二”的说话方式，成永兴也用过！
不就是强词夺理嘛！
谁不会啊！
你有种！
别人对的方法，你也别用！
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第四关，退火工艺
LED从本质上说是一个二极管，二极管的核心结构是半导体p-n结tk2。orgp-n结是由n型半导体(内部含有大量自由电子)和p型半导体(内部含有大量带正电的自由载流子——空穴)组成的界面
对GaN而言，n型掺杂比较容易实现，但p型掺杂却十分困难在GaN中经常使用的p型掺杂剂是Zn或者Mg，但是掺入这些杂质后，GaN往往仍体现高阻特性，这意味着p型掺杂剂并没有被激活，没有起作用
这个问题曾困惑了科学界很久，最后也是被天野浩解决的解决方法是用低能电子束辐照方法来获得p-
这个方法的发现，天野浩也是耗时很久他从86年起就一直在尝试，直到89年，才突然碰运气得到
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在这个步骤上，中村大侠的“二”病再此发作！
他再次推翻了前面科学家的研究成果，改为加热！
这也就是所谓退火工艺的由来
根据中