破，或者值得去突破的”
“因此我希望，你们那边也可以抽调一个小小的团队来配合专攻主控芯片这一块”
苏远山说着望向姜涛：“不需要我解释闪存的控制模式吧？”
这边李明柳又呵呵一笑：“你最好说一下”
姜涛便瞪了李明柳一眼：“看不起谁呢？一个MOSFET（MOS场效应晶体管）通过掺杂层保存电子，在断电之后也能保持状态，这是存储器的基本原理然后再设计一块芯片，获取存储器的0，1状态，就能得出数据分布情况，再根据读取和擦除命令施加电压即可完成数据操作”
“最后再和计算机的协议接口进行通讯……”
苏远山很惊讶地看着姜涛：“师兄牛逼啊……什么时候了解的？”
“……老李回来之后便开始搞这个，我接触一下没毛病吧？”姜涛把刚才李明柳丢给他的烟在桌上搓了几下，啪嗒一声点着了
苏远山便笑着点了点头：“这玩意原理其实挺简单，翻来覆去总离不开MOS场管”
姜涛道：“但成本降不下来始终是大问题”
“所以我们就是要解决成本问题”
苏远山笑着道
……
NAND闪存，现在还处于初级阶段，距离真正商用化那是遥遥无期
其中最根本的原因就是贵
现在的架构还只是SLC架构，它一个单元中只有0和1两种变化，只能存储1bit的数据
它的优点是快，稳定性好，寿命长——理论上可以达到十万次完全擦写的寿命
但确点也很明显，容量低，成本高在后世，能用到它的场景只有极端环境下的工业领域和其他不计成本的领域
然而，成本向来是阻止一种科技产品普及的最大拦路石，也是最容易被搞定的拦路石
于是几年后，Intel就搞定了新的架构，MLC——
相比SLC，它的每个cell单元能存储2bit信息
相应的，它的制程就更复杂，同时可靠性也读写速度也降低了，使用寿命更是以指数方式下降
但就算如此，它的价格依旧略显昂贵，并未给闪存带来真正意义上的普及
真正让闪存普及的，其实是TLC——TrinaryLevelCell，翻译过来就是三重单元
它每个cell单元能存储3bit信息，需要更复杂的制程和电压控制
缺点一如既往
然而，它却是让闪存走进千家万户的绝对功臣
以至于，到了后面还诞生了QLC——每个cell单元能存储4bit信息，容量更大，但更慢，寿命更短，但成本也能压缩到更低
并且，来自后世的苏远山知道，在闪存产品的发展过程中，闪存的架构只是制约产品读写速度的因素之一，甚至都不是最大的因素
最大的因素其实是数据传输的接口协议标准，其次主控芯片和相